首页 > 晶片破碎机,晶片装置

晶片破碎机,晶片装置

支持4英寸晶片 全自动裂片设备 - 裂片设备 - 产品简介 - 半导体制

配备全自动裂片设备必不可少的自动对位功能。. 配备裂片识别功能. 可以检测晶片是否完全裂开,有效降低双胞胎现象发生。. 高刚性设计可对应小芯片. 可处理小尺寸芯片。. 自动上

获取价格

晶圆裂片机 系列 - 正恩科技

正恩科技n-tec独有的全自动贴片机、全自动贴膜机、全自动压合机、全自动扩晶机、全自动解胶撕膜机、全自动裂片机,与减薄机、粗抛机、精抛机等客制化 设备,跨足:led、半导体、光通讯(5g)、生技等产业数十余

获取价格

晶圆切割 asphericon

此外,激光引导的晶圆切割具有更窄的切割宽度,从而可以使用价格密集型晶圆的更多表面积,同时保护材料。此外,由于基于激光的晶片切割过程是无接触式的,因此没有工具磨

获取价格

晶片研磨机 - AxusTech

Axus Technology 可以帮助您选择合适的晶圆磨削设备,以提供精确的控制、严格的尺寸和具有挑战性的规格解决方案。. 精确的晶片厚度控制对于集成电路、微机电系统、发光二极

获取价格

一文了解半导体封测设备固晶机 - 艾邦半导体网

固晶机(Die bonder),也称贴片机,是封测的芯片贴装(Die attach)环节中最关键、最核心的设备。. 将芯片从已经切割好的晶圆(Wafer)上抓取下来,并安置在基板对应的Die

获取价格

晶圆研磨过程中发生破损问题的分析与解决方法 技术

这可能是由于晶片与z1轴砂轮不匹配(用于粗磨削),即z1轴砂轮磨削能力不足,因此更换磨削能力更强的砂轮是防止破碎更有效的方法之一。 特别是当细光面磨削到200μm或更小的时候,由3或4因素造成的破碎的可能性增加

获取价格

SiC晶片倒角技术研究 - 百度文库

1.1 晶片倒角目的. SiC晶片倒角是把切割好的晶片边缘磨削成指定的形状,防止在后续加工过程中晶片边缘出现裂纹、崩边及晶格缺陷的产生等[1],提高晶片的机械强度和可加工

获取价格

晶片破碎机,晶片装置

什么是晶圆切割?晶圆划片机工艺简介 知乎2023/4/14 晶圆划片机是使用刀片或通过激光等方式将含有很多芯片的晶圆分割成晶片颗粒的装置,是半导体后道封测中晶圆切割

获取价格

芯片劈裂装置 - 百度百科

工艺试验仪器. 芯片劈裂装置是一种用于物理学领域的工艺试验仪器,于2011/9/15启用。. 中文名. 芯片劈裂装置. 产 地. 本. 学科领域. 物理学. 启用期.

获取价格

晶片破碎机,晶片装置

2019/7/29  晶片切割机的制作方法 xjishu专利名称:晶片切割机的制作方法 技术领域: 本实用新型涉及一种晶片切割装置,特别是一种无冷却晶片切割 装置。 背景技术: 常用

获取价格

EP2745301B1 - Routing of mems variable capacitors for rf

EP2745301B1 EP12759849.8A EP12759849A EP2745301B1 EP 2745301 B1 EP2745301 B1 EP 2745301B1 EP 12759849 A EP12759849 A EP 12759849A EP 2745301 B1 EP2745301 B1 EP 2745301B1 Authority EP European Patent Office Prior art keywords electrodes cell variable capacitor coupled electrode Prior art date 2011-08-19 Legal

获取价格

CN103258072A - 可切换滤波器及设计结构 - Google Patents

CN103258072A CN2013100541559A CN201310054155A CN103258072A CN 103258072 A CN103258072 A CN 103258072A CN 2013100541559 A CN2013100541559 A CN 2013100541559A CN ...

获取价格

EP3050843A1 - Dispositif de piégeage d'ions - Google Patents

EP3050843A1 EP15195480.7A EP15195480A EP3050843A1 EP 3050843 A1 EP3050843 A1 EP 3050843A1 EP 15195480 A EP15195480 A EP 15195480A EP 3050843 A1 EP3050843 A1 EP 3050843A1 Authority EP European Patent Office Prior art keywords tsv conductive material substrate microns present disclosure Prior art date 2015-01-30

获取价格

معدات تأثير موسيقى الروك-موسيقى الروك

الغيتار الكهربائي نصائح للمحافظة على السمع كافة الموسوعة الصحية. 14 آب أغسطس تجربة المعدات في مركز لبيع الغيتارات في لوس أنجلوس من أهم تأثيرات موسيقى الروك أند رول على الموسيقى الشعبية كانت رفع مستوى الغيتار 15 تموز ...

获取价格

EP3050843B1 - Dispositif de piégeage d'ions - Google Patents

EP3050843B1 EP15195480.7A EP15195480A EP3050843B1 EP 3050843 B1 EP3050843 B1 EP 3050843B1 EP 15195480 A EP15195480 A EP 15195480A EP 3050843 B1 EP3050843 B1 EP 3050843B1 Authority EP European Patent Office Prior art keywords tsv conductive material substrate microns present disclosure Prior art date 2015-01-30

获取价格

CN104103726B - 发光二极管及其制造方法 - Google Patents

CN104103726B CN201410138137.3A CN201410138137A CN104103726B CN 104103726 B CN104103726 B CN 104103726B CN 201410138137 A CN201410138137 A CN 201410138137A CN 104103726 B CN104103726 B CN 104103726B Authority CN China Prior art keywords light emitting emitting diode semiconductor layer layer kenel Prior art

获取价格

DE102017130926A1 - Waferanordnung, Verfahren zur Fertigung

DE102017130926A1 DE102017130926.8A DE102017130926A DE102017130926A1 DE 102017130926 A1 DE102017130926 A1 DE 102017130926A1 DE 102017130926 A DE102017130926 A DE 102017130926A DE 102017130926 A1 DE102017130926 A1 DE 102017130926A1 Authority DE Germany Prior art keywords wafer thin film elements

获取价格

WO2019120759A1 - Disposition de tranche, procédé de

L'invention concerne une disposition de tranche comprenant une tranche de support (CW) ayant une surface supérieure divisée en un motif régulier (RP) d'une première (SA1, ARS) et d'une seconde zone de surface (SA2, PES), chaque première zone de surface étant attribuée à une seconde zone de surface séparée respective appliquée de manière

获取价格

WO2019120759A1 - Wafer arrangement, method of making same

WO2019120759A1 PCT/EP2018/081073 EP2018081073W WO2019120759A1 WO 2019120759 A1 WO2019120759 A1 WO 2019120759A1 EP 2018081073 W EP2018081073 W EP 2018081073W WO 2019120759 A1 WO2019120759 A1 WO 2019120759A1 Authority WO WIPO (PCT) Prior art keywords thin film wafer elements functional carrier Prior art

获取价格

EP2745301B1 - Routen von mems-variable kondensatoren für rf

2021/5/22  EP2745301B1 EP12759849.8A EP12759849A EP2745301B1 EP 2745301 B1 EP2745301 B1 EP 2745301B1 EP 12759849 A EP12759849 A EP 12759849A EP 2745301 B1 EP2745301 B1 EP 2745301B1 Authority EP European Patent Office Prior art keywords electrodes cell variable capacitor coupled electrode Prior art date 2011-08-19

获取价格

EP3050843A1 - Vorrichtung zur ionenspeicherung - Google Patents

EP3050843A1 EP15195480.7A EP15195480A EP3050843A1 EP 3050843 A1 EP3050843 A1 EP 3050843A1 EP 15195480 A EP15195480 A EP 15195480A EP 3050843 A1 EP3050843 A1 EP 3050843A1 Authority EP European Patent Office Prior art keywords tsv conductive material substrate microns present disclosure Prior art date 2015-01-30

获取价格

CN103187947A - 可切换滤波器和设计结构 - Google Patents

Download PDF Info Publication number CN103187947A. CN103187947A CN2013100015178A CN201310001517A CN103187947A CN 103187947 A CN103187947 A CN 103187947A CN 2013100015178 A CN2013100015178 A CN 2013100015178A CN 201310001517 A CN201310001517 A CN 201310001517A CN 103187947 A

获取价格

CN111512547B - 混合滤波器 - Google Patents

CN111512547B CN201880082140.4A CN201880082140A CN111512547B CN 111512547 B CN111512547 B CN 111512547B CN 201880082140 A CN201880082140 A CN 201880082140A CN 111512547 B CN111512547 B CN 111512547B Authority CN China Prior art keywords substrate elements baw resonator hybrid filter Prior art date 2017-12

获取价格

TW214609B - - Google Patents

TW214609B TW081101494A TW81101494A TW214609B TW 214609 B TW214609 B TW 214609B TW 081101494 A TW081101494 A TW 081101494A TW 81101494 A TW81101494 A TW 81101494A TW 214609 B TW214609 B TW 214609B Authority TW Taiwan Prior art keywords package wafer contact connection film Prior art date 1991-03

获取价格

EP3050843A1 - Vorrichtung zur ionenspeicherung - Google Patents

EP3050843A1 EP15195480.7A EP15195480A EP3050843A1 EP 3050843 A1 EP3050843 A1 EP 3050843A1 EP 15195480 A EP15195480 A EP 15195480A EP 3050843 A1 EP3050843 A1 EP 3050843A1 Authority EP European Patent Office Prior art keywords tsv conductive material substrate microns present disclosure Prior art date 2015-01-30

获取价格

CN103187947A - 可切换滤波器和设计结构 - Google Patents

Download PDF Info Publication number CN103187947A. CN103187947A CN2013100015178A CN201310001517A CN103187947A CN 103187947 A CN103187947 A CN 103187947A CN 2013100015178 A CN2013100015178 A CN 2013100015178A CN 201310001517 A CN201310001517 A CN 201310001517A CN 103187947 A

获取价格

CN111512547B - 混合滤波器 - Google Patents

CN111512547B CN201880082140.4A CN201880082140A CN111512547B CN 111512547 B CN111512547 B CN 111512547B CN 201880082140 A CN201880082140 A CN 201880082140A CN 111512547 B CN111512547 B CN 111512547B Authority CN China Prior art keywords substrate elements baw resonator hybrid filter Prior art date 2017-12

获取价格

TW214609B - - Google Patents

H01L23/057 — Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads being parallel to the base

获取价格